传统的LED的功率一般为几个毫瓦到几十毫瓦，但是随着外延技术和芯片技术的发展，近年来出现了几百毫瓦到几瓦的芯片，相对以前的芯片来说，所以称作是大功率芯片。
制约更大功率的LED发展主要有以下几个方面：
外延技术：外延材料一般长在晶格和热膨胀系数不同的衬底上，外延尺寸越大，生长和冷却时时受到的应力也越大，更容易裂开或崩掉，因此很难获得更大尺寸的外延片。
可靠性：即使获得了大尺寸的外延片，但是由于尺寸越大，芯片内所包含的缺陷或位错也越多，制成的芯片的可靠性会大打折扣。
Droop效应：也许你会问，在小尺寸的芯片上通更大的电流，芯片的功率不就提升上去了么？这就必须提到LED芯片行业的一个难题-droop效应：大约超过10A/CM2后，电流密度越高，LED的外量子效率越低。通俗地说就是光强并非随着电流增大线性增大，而是增加幅度衰退很快，甚至有可能光强降低。
散热问题：LED虽然号称是冷光源，但是由于有体电阻和非辐射复合的存在，不可避免的会发热，功率越大，发热也越厉害。
对，1W是算大功率了，一般一瓦的LED芯片尺寸要达到40—45mil，这么大的芯片尺寸发光的同时会产生很大的热量，所以如果散热做得不好就很难保证LED的发光效率和使用寿命，这也就限制了led做成更大功率的原因所在。
标签：led,1w,大功率
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