当然可以。
我国上海微电子装备有限公司是专门研发和生产光刻机设备的科技公司。光核机技术水准在90纳米。
无锡影速半导体科技有限公司，是由中科院微电子研究所联合业内资深技术团队成立的微电子高科技公司，生产亚微米半导体制版光刻设备等，技术水准在200纳米。
合肥芯硕半导体有限公司，这家成立比较早，2006，是承担国家两项02专项任务民营高科技公司，主要生产半导体光刻设备。水准200纳米内。
京先腾科技有限公司，发起人杜成群。杜成群博士先在清华任教，后留学荷兰，在荷兰ASM𠃊公司从事光刻研究，拥有60多项光刻技术专利。2010回国为国内芯片出力。水准在800纳米。
还有许多公司都在研发光刻设备。有共同特点都是起步较晚，要赶上国际水准，还需付出更多努力。需要更多人才投入。
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图片来自网络
我国能生产光刻机。只是在技术水平上与国外最先进的有差距。
不过我们一直没放弃努力，现在已经有望缩小差距了。再坚持一下，黎明前的黑暗就会过去。
光刻机是芯片生产的关键设备之一。
芯片生产，需要用到几个最关键的设备：分别是光刻机、刻蚀机、清洗机、等离子注入机。我们都能生产。刻蚀机已经达到世界最顶尖水平。清洗设备和等离子注入也堪用。现在差的就是高精度的光刻机。
光刻机有什么用呢？下面通俗说一下光刻机在芯片生产中的作用。
下面把芯片生产比喻成木匠雕花，可以方便普通人理解。（二者主要是精度差别，材质差别。木匠雕花精度到毫米即可，芯片要到纳米。木匠用木头雕刻，芯片用硅的晶圆雕刻）
芯片生产：
第一步：设计。芯片设计公司进行设计，最后出图。这就像木匠雕花，先由设计师画图。
第二步：备料。芯片的主料是圆晶，就是硅，当然还要用些辅助材料。木匠买来木料等。
第三步：放样。这时要用到光刻机了。要用光刻机把设计好的图纸画到圆晶上。这里要求精度必须和设计精度匹配。如果这一步做不了，后面就只能干瞪眼了。木匠也要放样，根据图纸，在木料上把要雕刻的图样描画好。。
第四步：施工。这时刻蚀机上场。有等离子刻蚀或者化学刻蚀可选。刻蚀时按图施工。这就好比木匠师傅按画好的图案雕刻，使用凿子，刻刀是一样的。施工中要注意保持环境卫生。
第五步：清洗。其实是和施工混合在一起的，边施工边清洗。这就好比木匠雕刻时用毛刷，或者用嘴巴吹木屑。只是芯片要求的清洗超级严格。
第四、第五步要重复多次，具体情况视加工芯片的复杂情况而定。
第六步：封装。施工完毕后要保持住施工成果，隔绝一切可能的伤害，芯片封装要求也很高，要用到离子注入等设备。木匠这环节简单。施工完毕后，现场都清理干净了，弄点清漆把作品保护好。
如果不能用高精度的光刻机放样，是生产不出来高水平的芯片的。光刻机在制造流程中要使用多次，包括最后的封装环节也要用。
下面说说光刻机的市场状况：
现在高等级的光刻机世界上有美国、荷兰、日本三个国家5个公司能生产。分别是荷兰的ASML、日本的Nikon、日本的cannon、美国的ultratech以及我国的上海微电子（SMEE）。
这五家里面，荷兰的ASML一家独大，完全垄断了高精度光刻机。
目前还在追赶的，只有中国，其他几家都放弃了。因为难度太大。
目前ASML的技术是10nm，马上是7nm。
上海微电子的技术是90nm。
我们能买到的最新设备的技术是中芯国际即将投产的生产线14nm。
下图是上海微电子生产的光刻机
好消息是2017年，长春光机所承担的国家科技重大专项项目“极紫外光刻关键技术研究”顺利通过验收，这标志着国产22-32 nm设备就要出来了。我们离ASML又近了一步。
这里，我们要感谢那些默默无闻风险在科研领域的人，他们是中国自强不息的脊梁。下面照片是验收后科研人员合影留念。为这个突破，花了16年时间。让我们向他们致敬。
光刻机最近比较火是因为中兴被美国封杀事件不得使用高通芯片最终近期高通不得不全线产品使用联发科的产品，由此可见芯片对于手机产业的重大影响。
光刻机是芯片制造的最核心设备之一，可以分为几类：
1，用于生产芯片的光刻机；
2，用于封装的光刻机；
3，用于LED制造领域的投影光刻机。
一、中国光刻机与世界的差距
用于生产芯片的光刻机是我国半导体设备的最大的短板。光刻机域的老大是荷兰的ASML，该公司生产的EUV系列光刻机售价高达1亿美元，并且只有ASML能够生产，可以说asml几乎垄断了光刻机的高端市场。
目前国内光刻机和国外的差距是极为巨大的，但是我们能看到的是，光刻机是我过要重点发展的行业。国家扶植。
由于美国主导《瓦森纳协议》的限制，中国根本不可能进口光刻机的高端设备。只能有机会买到ASML的中低端产品。举例：Intel、三星、台积电2015年能买到ASML10 nm的光刻机。而国内，2015年只能买到ASML 2010年生产的32 nm的光刻机，5年时间对半导体来说，已经足够让市场更新换代3次了。这就导致即使通过设备学习国外的光刻机技术，中国已经落后三代产品，更不用说观看和拆解根本不可能学会光刻机新技术。
由于进出口贸易的限制，国内目前没办法安装ASML EUV光刻机，所以也导致无法学习最先进的光刻机技术。目前国产光刻机与国外差距太大，根本无法在高端市场上参与竞争，。根据预估，近年来我国每年集成电路产品进口金额与每年原油进口金额大致相当，每年已经超过2000亿美元。
二、中国光刻机发展历程
中国最好的光刻机厂商上海微电子（SMEE）已经量产的光刻机中，性能最好的设备相当于2004年上市的奔腾四CPU的水准。所以由此可知，中国至少落后于国外14年，这对于2年更新一次的光刻机行业，中国落后了7代。
2008年国家将EUV光刻技术列作为重要课题，长春光机承担起了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作。此后《中国制造2025》将EUVL列为了集成电路制造领域的发展重点，并计划在2030年实现EUV光刻机的国产化。
8年后的2016年，项目提前完成测试，突破了现阶段制约我国极紫外光刻发展的核心光学技术，初步建立了适应于极紫外光刻曝光光学系统研制的加工、检测、镀膜和系统集成平台。这才进行中国光刻机时代的奠基。而asml光刻机已经诞生了30年，市场份额高达80%。
极紫外光刻被公认为是最具潜力的下一代光刻技术，面对的是7nm和5nm节点，代表了当前应用光学发展最高水平。
光刻机又叫做:掩膜对准曝光系统，光刻系统等，简单的来说光刻就是将硅圆表面涂上光刻胶，通过光将掩膜版上复杂的电路结构复制到光刻胶上面的过程，我国目前能生产光刻机的主要有以下几家:
上海微电子装备有限公司，已经量产90nm光刻机，其65nm光刻机商用量产也已经提上日程
中子科技集第四十五研究所光电已经量产的是1500nm光刻机
先腾光电科技已经量产800nm光刻机
无锡影速光电科技目前已经量产200nm光刻机
谈到光刻机就不得不谈到ASML，这个光刻机行业说一不二的庞然大物，只有它能生产7nm级别的光刻机，每台7nm制程光刻机售价1.2亿美元，17年产量只有12台，预计今年达到18台，至于其“一视同仁”的态度，中国不知道哪一年能买到一台，中国光刻机企业在其面前就是一个小孩。
很多人都有疑问中国在晶圆材料，蚀刻机，e—beam，掩膜，标靶，封装等领域都有了巨大突的突破，华微电子的芯片材料和中微半导体科技的蚀刻机都是世界一流，为什么单单光刻机攻克不了。
第一没有足够的技术和人才积累，半导体行业在我国起步晚，在国外的技术封锁之下，技术底子薄，尤其在机械精度方面差距甚远，高端光刻机需要做到两个平台同时运动，而差距不能超过2nm，这而一根头发的宽度是60000nm。
第二没有顶尖的零件，ASML的零件全是各行业的龙头企业提供，镜头来自德国蔡司，光源来自没过cymer，机器组装来自韩国和台湾，都是各行业最顶尖的存在，而中国什么都得自己来。
第三没有足够的资金，ASML每年的研究开发费用都是以十亿美元为单位，中国企业虽然在国家扶持之下，有了更多的研发资金，但是显然还达不到这个水平。
中国芯片行业的进步是毋庸置疑，同时也要直面一些方面巨大的差距，发扬中华民族吃苦耐劳的民族精神，通过自己的努力把路一步一步走出来，因为落后只能被欺负。
有人说研发光刻机比研发导弹和原子弹还难，但我要说，只要是外国人研发出来的东西，就没有中国人研发不出来的。中国人韧性非常强，别人越打压，我们就变的越强大。当年，我国要建高铁，想从日本和欧洲进口高铁技术，可人家不卖，还嘲笑我们几十年内建不了高铁。这激起了中国科研人员的努力，在短短几年之后，中国高铁就在祖国大地上运行，且技术还远超日本和欧洲，令他们大跌眼镜。所以我相信，以中国人的高超智慧，用不了多久，中国自主研发的高尖端光刻机就会与世人见面。到那时，中国不但能制造高端光刻机，还能制造比光刻机更先进的高科技设备。
目前，光刻机都被国外垄断，震惊世界的华为之战就是光刻机之战。华为芯片大部分从国外进口，美国为了打压华为，利用国家力量要求美国企业断供华为芯片。华为芯片又是高科技产品，很多都是用光刻机制造出来的。美国人认为，光刻机是华为短板，还在研发之中，他们垄断了光刻机市场，也就掐断了华为的脖子。幸好华为早就有准备，华为旗下海思公司生产的麒麟系列芯片，足以和高通骁龙芯片媲美，满足了华为后续产品的需求。华为公司依旧在研发更高端的芯片，相信他们能克服种种困难，让华为高科技走向世界。
当然，光刻机也不是美国一家独大，荷兰ASML公司生产的光刻机排世界前列，他们生产的7nm光刻机一台售价1亿欧元，约合人民币8亿，而且有钱还要提前数年预约。这还不算最好的，如果是5nm光刻机价格就更高了。由于荷兰光刻机技术来源美国，因此他们也不敢转让核心技术给我国。正因为这样，光刻机成了一些国家发财专利。
如今，我国高科技遭到打压，这更激起了我国科研人员奋发图强。我国是发展中国家，对很多高科技产品还在摸索研发之中。特别是对这种高端科技光刻机的研发，我国以在计划之中。我国高科技企业特别多，只要大家群策群力，用不了多少年，我国就能拥有属于自己的高端光刻机。
所以说，中国可以自己制造出光刻机，它对中国人来说，挑战不会很大，属于正常的高科技研发，而且我们的技术一定会超越西方，这也是中国人的实力。等到那时，中国制造的高端光刻机就可以销售世界，给很多发展中国家带来福音。以上只是一家之言，欢迎留言，谢谢。
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答案是：可以的！
但是先别这么高兴，因为我们能够生产的出来的光刻机，跟荷兰的ASML光刻机差距真的很大啊！
我国生产光刻机最好的是：上海微电子！这是中国唯一一家生产高端前道光刻机整机的公司，同时华卓精科是唯一的光刻机工件台供应商。
上海微电子目前承担着国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”的65nm光刻机研制。而且是正在承担着65nm的研制，能不能研发成本还需要看以后的情况。
差距很大
大家可能不知道65nm是一个怎么样的水平哦。我就直接坦白地说：荷兰的ASML的目前的水平是14nm！
这个差距真的很大。而且更加恐怖的的，荷兰的ASML目前也在研发更加精细的制程，10nm已经投入使用，7nm的也在准备了。我们目前还在研发65nm。那就意味着我们的不仅比别人落后，如果要想超越别人，一定要跑得比别人更快。
研发费用巨大
而且更加恐怖的是，制程越小，研发费用越大。每更新一代都是上亿美元的投入，90nm到65nm可能研发是X亿，但是从65nm往更小制程研发可能是几个X亿的资金投入。所以研发出来了要市场化投入使用才能使得企业运营下去。
同时，由于美国主导的《瓦森纳协议》，我们不能从荷兰进口ASML的先进的光刻机。我们提出了《中国制造2025》，这一个目标汇中，包括集成电路制造领域的发展重点，我们最终的计划是在2030年实现EUV光刻机的国产化。
这个对于我们来说，难度真的非常大。荷兰ASML的领先程度到了什么程度了？当初英特尔扶持尼康，防止ASML独大，但是尼康的在芯片光刻机市场竞争不过ASML，ASML实在太强大了。
不过，就算道路再难，我们还是得走下去。中兴给我们的教训可以说是非常深刻的，我们一定要有自主能力。
毕竟这是起步的初期，路漫漫其修远兮。
我国制造光刻机是没有任何疑问的，只不过制造的光刻机最小工艺制程节点只有90纳米，而国际上光刻机的最小工艺制程为3纳米。90纳米工艺制程是在2004年出现的，也就是说，如今的国产光刻机与ASML的光刻机技术差了16年。不过国产浸没式DUV光刻机也将在2021年交付使用，将进一步缩小与ASML的差距。
国产光刻机最先进的就是上海微电子制造的SSA600/20步进扫描式光刻机，其最小工艺制程节点为90纳米，在2018年通过验收。该光刻机的光源采用了波长为193纳米的Arf准分子光源；曝光系统为数值孔径是0.75的Epolith A075；双工件台应该是华卓精科研制的DWS系列，运动平均偏差465纳米，运动标准偏差7纳米。SSA600/20就是我国目前可以使用的最先进的光刻机了，也是可以唯一可以使用的去美国化的最先进的光刻机了。
事实上我国研制光刻机部件的企业有很多，如光源是由:科益虹源；曝光系统是由:国科精密；工件台是由:华卓精科；浸液系统是由:启尔机电；物镜系统是由:国望光学。基本上国内最强的研发团队都上了，毕其功于一役，相信定能制造出EUV光刻机。
目前取得的成就有，华卓精科正在研发浸没式光刻机工件台DWSI系列，运动平均偏差2.5纳米，运动标准偏差为5纳米。主要就是用于浸没式光刻机，也就是即将于2021年交付由上海微电子制造的浸没式DUV光刻机。还有长春光机所研制的EUV光刻机物镜系统，其波像差优于0.75纳米RMS，并且首次获得了光刻线宽为32纳米的曝光图形。
此外，科益虹源正在研发60W 4Khz的arf光源，也是浸没式DUV光刻机的必备之物。之前40W 4khz的准分子激光光源已经交付使用了。还有就是国望光学正在研发数值孔径为1.35的镜头组。由此可知，与浸没式DUV光刻机相关的光源，镜头，双工件台，曝光系统，浸液等等都取得了相当大的进展。所以说，在2021年上海微电子制造出浸没式DUV光刻机也没有什么不可能的。
但是光刻机被制造出来后，离成熟还有一段时间，也就是说即便是2021年国产首台浸没式DUV光刻机被制造出来后，离商业化也有一段时间。像7纳米工艺制程的芯片也是可以用浸没式DUV光刻机制造出来的，台积电的首代7纳米制程工艺用的就是浸没式DUV光刻机，只不过需要多次曝光而已。当然了，不计成本和时间和良品率的话，使用浸没式DUV光刻机也可以制造出5纳米工艺制程节点的芯片。而EUV光刻机在制造7纳米和5纳米工艺制程节点的芯片，就比较方便快捷了，根本不需要进行多次曝光。
事实上，也就商业芯片对工艺制程要求较高，5纳米，3纳米等等。而像基站，军工领域对工艺制程的要求就不高了，主要就是可靠性，耐高温，耐低温，抗辐射性。现在普遍的军用芯片的工艺制程还停留在40纳米或者65纳米，再高点也就是28纳米，22纳米。像14纳米，7纳米的基本上就没有。所以说，有了国产的浸没式DUV光刻机，完全可以确保我国的工业芯片，国防芯片不会受到影响。只要有强大的军事实力，那么留给我国攻克DUV光刻机技术难关的时间就非常的充裕。只不过像一些被美国制裁的高科技企业，还需要忍耐一段时间，等到国产EUV光刻机问世之后，就可以无所顾忌的发展了。
在研发DUV和EUV光刻机的同时，也不能放弃新兴芯片的研发，比如量子芯片，碳基芯片，光芯片等等。等到硅基芯片走到尽头时，才是新兴芯片大发展之时。既然在硅基芯片上受制于人了，那么在新兴芯片上就绝对不能重蹈覆辙。注重研发，注重人才，彻底解决光刻机这一制约我国高科技发展问题。所以说，现阶段就是努力攻克光刻机的各种部件，及早制造出浸没式光刻机，同时大力研发新兴芯片。
我们国家可以生产，最高可以生产大概是60纳米左右的，对32纳米来说，不知道要等几年；实验室可以流片多少纳米未知，全球来说，ASML是欧洲跟美洲几十个国家企业一起出资供养的，原来日本可以生产，后来投入太大，被终止了，现在能适应市场的就只有ASML生产的光刻机，其它公司生产出来也没什么用的；在2018年今年7纳米光刻机就有了，2020年就是4纳米，2022年就有2纳米，这些都是生产线的计划，光刻机的进度是在生产线之前；最大的问题是ASML的研发速度这么快，是大量资金跟资源堆出来的；我国向追上去，很难，除非有其它特别的突破，不然先进制程永远无法民用。
上海微电子设备有限公司是一家专业研发、生产光刻设备的科技公司。光核机技术水平为90nm。
无锡英苏半导体技术有限公司是由中国科学院微电子研究所和业内资深技术团队共同组建的高科技微电子公司。生产技术水平为200nm的亚微米半导体制版光刻设备。
合肥新硕半导体有限公司成立于2006年，是一家承担国家两项02专项任务的民营高新技术企业，主要生产半导体光刻设备。在200纳米范围内。
景贤腾科技有限公司创始人杜群。杜群群博士最初在清华大学任教，后来在荷兰留学。曾在荷兰ASM𠃊公司从事平版印刷研究。他拥有60多项光刻技术专利。2010年回国为国产芯片做贡献。水平是800纳米。
也有许多公司在开发光刻设备。它们的共同特点是起步晚，要赶上国际标准还需要付出更多的努力。需要更多的人才投入。
报道说中国已经生产出来7纳米的刻蚀机，也就是说在机电的步进精度上我国已经有了好的基础，剩下的是光学系统和控制系统，想来不会太远的时间中国拥有高精度光刻机的时刻就会来到！！
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