让我们来看看193nm和14nm的区别。
193nm指的是什么，这里的193nm指的是光源波长，也就是深紫外光波长。
14nm级别CPU中的14nm指的是，晶体管结构中栅极的宽度（栅长），栅极越短，电流损耗越少，表现出来发热和功耗就会越少。
gate（绿色部分）为栅极，只要控制两段电流的通断为什么可以用193nm波长的光源制造14nm制程的芯片
一是，波峰和波谷在无法突破衍射极限的情况下，可以利用光刻胶的性质，通过特定的化学处理或者是物理处理，不同的光刻胶有了不同的特性，简单的来说使光刻胶到达一个特定的曝光量后才融化，通过这种办法当曝光量到达某个值过后光刻胶融化，过了这个值就不在变化，这样就可以去的小于波长的的结构，如下图。
黄色方框区域极为去的结构长度，小于波长
二是由于第一种方法光刻胶有限制，并不能做出无限小需要的结构，这个时候就可以利用到多次曝光，就是在第一次已经曝光过的结构之上，重复曝光，下图中黄色为第一次曝光，蓝色为第二次，只要将两次重叠在一起，这样结构宽度就会减小一半。
中国的刻蚀机技术
讲到中国的刻蚀机，大家都知道是中微半导体，但是很少人知道中微的幕后功臣尹志尧，他曾经在美国硅谷工作20余年，个人拥有专利近百项，没回国之前担任美国应用材料公司副总裁，带着自己的团队回来，在什么都没有的情况下，创办了现在的中微半导体。
在中国没有一点半导体基础的情况下，中微在尹老带领下弯道超车，现在已经量产的7nm级别刻蚀机，世界一流，已经向台积电供货，并且已经掌握独一无二的5nm刻蚀机技术，目前正在准备量产中。
我们有理由相信，中国半导体技术的落后只是占时的，有很多向尹老这样的默默付出者，他们在为中国半导体事业默默奉献着，他们是中华民族不屈的脊梁。
14纳米CPU：是指芯片的制程是14纳米。即半导体集成电路制造的“线宽”---就是尺寸14纳米。
193纳米光刻机：我想应该说的是193纳米液浸式光刻技术，采用的是远紫外光源。当前10纳米制程光刻机是采用这个技术。台积电最近宣布7纳米量产成功，不知道是极紫外光还是原来的193纳米液浸式光刻。按照光波长度，小于190纳米的称为极紫外光。2017年初，台积电向荷兰ASML订货，定的是极紫外光刻机。荷兰ASML和我们长春光机所研制的极紫外光刻技术，采用的波长都是13.5纳米。
5纳米刻蚀机：现在量产的刻蚀机最小制程是7纳米。5纳米还没出现。
在芯片制造中，要生产的芯片、光刻机、刻蚀机三者的的制程应当一致。比如，生产14纳米的芯片，要用14纳米的光刻机放样（在晶圆上用光画好电路图样）、14纳米的刻蚀机雕刻（等离子刻蚀）。
目前，在桌面电脑CPU领域，制程停留在14纳米很长时间。而手机芯片已经从10纳米进入7纳米时代。台积电刚刚宣布7纳米芯片量产技术成功。制程越小，同样体积容纳的晶体管越多，运算能力越强，越省电。这对手机这种电源受限（电池），体积受限（追求轻、薄、小）的设备尤其重要。而电脑就没有这方面的压力。
中微是给台积电提供7纳米刻蚀机的厂家之一。中微与台积电在 28 nm 制程时便已开始合作，并一直延续到14nm、10 nm到今天的7纳米。在刻蚀机领域，还有应用材料、科林研发 、东京威力科创、日立先端这几家外国企业具备同等实力。
下图：中微刻蚀机
至于中微的5纳米刻蚀机，现在还没出来。出来也没有意义。因为5纳米的光刻机还没有，不能把放样做到5纳米，要5纳米的刻蚀机做什么用呢？中微是做了5纳米刻蚀机的技术储备，只要5纳米光刻机面世，即可推出5纳米的刻蚀机。刻蚀机的技术难度比光刻机还是要小得多。
下面说说光刻机，我们现在就卡在光刻机上。目前国内量产的只能做到90纳米。上海微电子的产品。而荷兰ASML已经量产7纳米产品。差距不是一点两点。
不过，我们已经采取直接进入极紫外光刻技术台阶的策略，并取得很大进展。
2017年6月，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项(02专项)，“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利验收。实现了国内首次极紫外光投影光刻32 纳米线宽的光刻胶曝光图形。当然这是在实验室中完成的，距离量产还有距离。但这是在技术封锁下的一次重大突破。
项目由长春光机所牵头，参与单位有：中科院光电技术研究所、中科院上海光学精密机械研究所、中科院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学。未了这一刻，从试制 极紫外光样机算起，整整花了16年。
让我们为默默奋战在科研一线的工作者们致敬。
光刻机，顾名思义就是用光做为能量，进行实物雕刻的机器；刻蚀机，就是刻蚀掉对产品本身设计不想保留那部分的机器。
14纳米是指光刻机制造芯片所达到的线宽工艺。线路越细小，晶体管栅极越短，单位面积所刻制晶体就越多，芯片效率就越高越省电，目前最高工艺已达7纳米.如台积电正在量产的麒麟980就是这个极品工艺
要想有纳米级的工艺，普通光源是无法满足芯片制造要求，因为普通光源波长太大，存在太强的衍射，小孔成像原理知道，光线透过小孔射到屏上，亮斑之外还有余光绕过。现实光源采用波长更短（193纳米），频率更好，直线性更强（衍射更小）的紫外激光。随着工艺的推进，对光源要求会更加严格…
简单的说，芯片制造第一步就是转录刻模。类似照相原理：把设计好的原理结构制成掩模薄片（类比成相片做好的底片），然后通过193纳米的光照，投射到涂胶的晶圆薄片上，在薄薄的胶莫上留下芯片结构图像，从而把设计图纸的容转录到晶圆薄片的胶莫上，朋友你明白了吧
带有图像信息的胶莫，在刻蚀机的作用下，曝光的部分胶莫开始溶解脱落熔化。未被胶体薄膜覆盖的硅晶体因失去保护，而在离子作用下被刻蚀掉。刻蚀机工艺越先进，刻蚀精度越高，五纳米可刻蚀7纳米，但不能反过来用，那那样刻蚀的效果质量会太糟糕。刻蚀机其实才更像雕刻刀…
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这个问题在头条上提问，恐怕极少有人正确回答。这是新科技领域，专门从事研究的科技专业研究人员，正在进一步研究的范畴。网上瞎喷有人喷，回答此问题得上中科院的研究所。5纳米刻蚀机我得学精、学透，亲自操作过才敢回答。
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